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FGH40T100SMD-F155 发布时间 时间:2025/4/28 16:32:05 查看 阅读:24

FGH40T100SMD-F155是一款高压功率场效应晶体管(MOSFET),采用SMD封装,适合表面贴装技术。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及电机驱动等应用中。
  FGH40T100SMD-F155具有低导通电阻和高击穿电压的特点,能够在高频条件下提供高效的性能表现。其额定耐压为100V,并能承受较大的电流负载。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:40A
  导通电阻:3.5mΩ
  栅极电荷:28nC
  开关时间:ton=79ns, toff=38ns
  结温范围:-55℃至175℃

特性

FGH40T100SMD-F155具备以下主要特性:
  1. 高电压能力,能够承受100V的最大漏源电压,确保在多种高压应用中的稳定性。
  2. 低导通电阻仅为3.5mΩ,有效降低功率损耗并提升效率。
  3. 快速的开关速度,有助于减少开关损耗,特别适用于高频电路设计。
  4. 符合RoHS标准,环保且可靠。
  5. 表面贴装设计,简化了生产流程,提高了组装效率。

应用

FGH40T100SMD-F155的主要应用领域包括:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关元件。
  2. DC-DC转换器中的功率级开关。
  3. 电机驱动电路中的功率控制。
  4. 工业逆变器及不间断电源(UPS)系统中的关键组件。
  5. 各类需要高效功率切换的电子设备。

替代型号

FGH60T100SMD-F155, IRFZ44N, FDP157N10ASL

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FGH40T100SMD-F155参数

  • 现有数量0现货
  • 价格1 : ¥54.77000管件
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态停产
  • IGBT 类型沟槽型场截止
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)1000 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)80 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm)120 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值)2.3V @ 15V,40A
  • 功率 - 最大值333 W
  • 开关能量2.35mJ(开),1.15mJ(关)
  • 输入类型标准
  • 栅极电荷398 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值29ns/285ns
  • 测试条件600V,40A,10 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr)78 ns
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商器件封装TO-247-3