时间：2025/5/8 14:17:59
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FGH40N65UFDTU-F085 是一款高性能的 N 沃特 (N-Channel) 功率场效应晶体管（MOSFET），适用于高频开关和高功率应用。该器件采用先进的沟槽式技术制造，具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关特性。FGH40N65UFDTU-F085 通常用于开关电源、电机驱动、逆变器等场景中的功率管理部分。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：40A
导通电阻：120mΩ
栅极电荷：90nC
输入电容：1300pF
总电容：1800pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
FGH40N65UFDTU-F085 具备以下显著特性：
1. 高击穿电压，可承受高达 650V 的漏源电压。
2. 低导通电阻，确保较低的传导损耗，从而提高效率。
3. 快速开关速度，能够减少开关损耗并提升高频应用性能。
4. 小型化封装设计，便于在紧凑空间中使用。
5. 高温可靠性，适合在恶劣环境条件下运行。
6. 良好的热稳定性，有助于延长器件寿命。
7. 符合 RoHS 标准，环保且无铅工艺。
FGH40N65UFDTU-F085 广泛应用于各种电力电子领域：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. 工业电机驱动
3. 太阳能逆变器
4. 电动车辆（EV/HEV）控制器
5. 不间断电源（UPS）系统
6. LED 照明驱动电路
7. 各种高功率转换设备
这些应用充分利用了 FGH40N65UFDTU-F085 的高效率和高可靠性特点。
FGH40N65UFDTU-F080, IRFP460, STW14NM65K5
