时间：2025/5/13 10:31:33
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FGH40N60SFTU是一款高压功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高频开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及逆变器等应用。该器件采用先进的沟槽式工艺制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够有效降低功耗并提升系统效率。
FGH40N60SFTU的封装形式为TO-220，适合表面贴装，同时具备良好的散热性能，使其在大功率应用中表现出色。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：40A
导通电阻：0.18Ω
栅极电荷：75nC
开关速度：快速
封装类型：TO-220
FGH40N60SFTU具有以下显著特性：
1. 高击穿电压：600V的漏源电压使得该器件能够在高压环境下稳定工作。
2. 低导通电阻：仅为0.18Ω，可显著减少导通状态下的功率损耗。
3. 快速开关能力：低栅极电荷和优化的内部结构设计使器件具备较高的开关频率，适用于高频应用场景。
4. 良好的热性能：采用TO-220封装，具有较大的散热面积，能够有效散发热量。
5. 高可靠性：通过严格的筛选和测试流程，确保在恶劣环境下的长期稳定性。
FGH40N60SFTU广泛应用于多种电力电子领域：
1. 开关电源：用于AC-DC或DC-DC转换电路中的主开关管。
2. 电机驱动：作为逆变桥臂的核心元件，控制电机的速度和方向。
3. 逆变器：用于太阳能逆变器和其他类型的电力逆变设备。
4. 工业控制：包括各种工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 汽车电子：如电动车充电器、车载逆变器等。
FGH40N60LD
IRFP460
STP40NF60
