时间：2025/5/26 18:56:28
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FGH30T65UPDT-F155是一款高性能的MOSFET功率晶体管，属于增强型N沟道场效应晶体管。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热稳定性等特点。适用于多种电力电子应用领域，例如开关电源、逆变器、电机驱动以及DC-DC转换器等。其优化的封装设计能够有效提升散热性能，从而支持更高的功率输出。
该型号是FGH系列中的一员，专为高效率和可靠性而设计。通过降低开关损耗和导通损耗，FGH30T65UPDT-F155能够在高频工作条件下提供卓越的性能表现。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：30A
导通电阻：0.12Ω
栅极电荷：45nC
开关时间：ton=85ns, toff=75ns
结温范围：-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻，有助于减少导通损耗并提高系统效率。
2. 高额定电压（650V），适合高压应用环境。
3. 支持大电流操作（30A），能够满足高功率需求。
4. 快速开关特性，确保在高频条件下运行时的高效性。
5. 内置ESD保护功能，增强了器件的抗静电能力。
6. 优异的热稳定性，即使在极端温度范围内也能保持稳定的性能。
7. 封装形式为TO-247，具备良好的散热性能。
FGH30T65UPDT-F155广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. 不间断电源（UPS）系统
3. 工业逆变器和变频器
4. 电动车辆的电机驱动电路
5. 太阳能微逆变器及储能设备
6. DC-DC转换器模块
7. 各类工业控制设备中的功率调节
FGH30T65UPDT-F120
IRFP260N
STP30NF65
FDP18N65S
