时间：2025/5/24 20:41:57
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FGD3N60UNDF 是一款 N 沣道通态 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高频开关电源、电机驱动、逆变器等应用领域。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和优良的热性能，能够显著提高电路效率并降低功耗。
FGD3N60UNDF 的耐压值为 600V，使其非常适合在高压环境下工作，同时其出色的动态性能也使得它成为功率转换应用的理想选择。
最大漏源电压：600V
最大连续漏极电流：3A
最大栅极源极电压：±20V
导通电阻（Rds(on)）：450mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
输入电容：1080pF
总栅极电荷：25nC
开关速度：快速恢复
封装形式：TO-220
1. 高耐压能力，最大漏源电压达 600V，适合高压应用场景。
2. 低导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提高系统效率。
3. 快速开关速度，可实现高频操作，适用于开关电源和 DC-DC 转换器。
4. 优异的热稳定性，确保在高温环境下的可靠运行。
5. 小型化封装设计，节省 PCB 空间，便于布局与散热管理。
6. 栅极驱动要求较低，易于与各种驱动电路配合使用。
FGD3N60UNDF 广泛应用于需要高效功率转换的场合，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）及 AC-DC 适配器。
2. 电机驱动与控制，如家用电器中的风扇、泵等。
3. 逆变器及不间断电源（UPS）。
4. LED 驱动器和照明系统。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 其他需要高性能功率开关的应用场景。
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