型号：FGC800B-180DS
　　存储容量：8 Kbit (1024 × 8)
　　接口类型：并行接口
　　工作电压：2.7V 至 3.6V
　　最大访问时间：180ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装形式：8-SOP
　　写入耐久性：10^14 次/字节
　　数据保持时间：10年（在+85°C下）
　　功耗模式：低功耗CMOS工艺，待机电流典型值为10μA

FGC800B-180DS的核心优势在于其基于铁电电容的存储单元结构，这种结构使得它既拥有RAM级别的高速读写能力，又具备非易失性存储器的数据保持能力。与传统的EEPROM或Flash不同，该芯片在执行写操作时无需预擦除步骤，也不受写入次数限制的影响，可实现真正的“无延迟”写入，极大地提高了系统的响应速度和数据完整性。其180ns的快速访问时间使其适用于对实时性要求较高的场合，例如工业PLC中的状态记录、医疗设备中的患者数据缓存、智能仪表中的计量信息保存等。
　　另一个显著特点是其卓越的可靠性。由于铁电材料的物理特性稳定，FGC800B-180DS在极端温度环境下仍能保持良好的性能表现，适合部署在恶劣工业环境中。同时，该器件具有出色的抗辐射和抗电磁干扰能力，进一步增强了其在关键任务系统中的适用性。此外，其低功耗设计不仅有助于延长电池供电设备的工作寿命，还减少了系统散热需求，有利于提升整体能效。
　　从系统集成角度来看，FGC800B-180DS采用标准并行接口，兼容广泛使用的微控制器总线架构，简化了硬件设计和软件驱动开发。无需额外的电源管理电路来支持写保护或数据备份功能，降低了BOM成本和PCB复杂度。富士通还提供了完整的技术支持文档和参考设计资源，帮助工程师快速完成产品选型与调试。总之，FGC800B-180DS是一款集高性能、高耐久性和高可靠性于一体的先进非易失性存储解决方案，特别适合用于替代传统E2PROM或SRAM+备用电池组合的应用场景。

FGC800B-180DS广泛应用于需要高频写入、快速响应和长期数据保留的嵌入式系统中。典型应用包括工业自动化控制设备中的运行日志记录、传感器数据采集模块中的临时存储、电力系统中的电表数据保存、医疗监护仪中的病人参数缓存以及汽车电子控制系统中的配置信息存储。此外，在POS终端、打印机、复印机等办公设备中，该芯片可用于保存交易记录、打印队列或用户设置，确保即使突然断电也不会丢失重要信息。由于其宽温特性和高可靠性，也常被用于户外通信基站、轨道交通控制系统和航空航天电子设备中，作为关键数据的存储介质。

CY15B104QI