时间：2025/5/29 11:19:55
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FGB20N60SFD-F085 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要适用于高电压和高功率的应用场景。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和优秀的热稳定性等特性，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等领域。
其设计旨在满足工业应用中对效率、可靠性和耐用性的严格要求，同时具备出色的电气性能和抗干扰能力。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：20A
导通电阻：0.18Ω
栅极电荷：35nC
开关频率：高达 100kHz
结温范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-247
1. 高耐压能力，最大漏源电压可达 600V，适合高压环境下的应用。
2. 连续漏极电流为 20A，在大电流条件下仍能保持稳定运行。
3. 导通电阻仅为 0.18Ω，有助于降低功耗并提高系统效率。
4. 栅极电荷较低，仅为 35nC，确保快速的开关速度和高效的能量转换。
5. 支持高达 100kHz 的开关频率，适用于高频应用场景。
6. 结温范围宽广（-55°C 至 +150°C），适应各种恶劣的工作环境。
7. 使用 TO-247 封装形式，便于散热和安装，同时提高了可靠性。
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. 电机驱动电路中的功率控制元件。
3. 逆变器和变频器的核心功率器件。
4. 太阳能逆变器中的功率管理模块。
5. 各种工业设备中的高电压、高功率电子开关。
6. 不间断电源（UPS）系统的功率级组件。
FGB25N60SFD-F085, IRF640, STP20NF60
