时间：2025/8/20 21:29:26
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FGAF40N60UFD 是由 Fairchild（飞兆半导体）生产的一款高功率 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率转换和开关应用。该器件采用了先进的平面技术，具有较低的导通电阻和高效的开关性能，适用于电源、马达控制、DC-DC 转换器等高功率系统。FGAF40N60UFD 采用了 TO-264 封装，能够有效散热，支持高电流和高电压操作。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：40A
漏极-源极电压（VDS）：600V
栅极-源极电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：典型值 0.14Ω（最大值 0.17Ω）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-264
FGAF40N60UFD 具备多项优异特性，使其在高功率应用中表现卓越。首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保了在高电流条件下的低功耗和高效能。此外，该器件的高击穿电压（600V）使其能够承受高压环境，适用于多种工业和电源管理系统。
该MOSFET采用先进的平面工艺技术，提高了可靠性和稳定性。其封装形式为TO-264，具有良好的散热性能，支持长时间高负载运行。此外，FGAF40N60UFD还具备快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高系统效率。
该器件还具备过热保护和短路保护能力，能够在恶劣的工作环境下保持稳定运行。其宽工作温度范围（-55°C 至 +150°C）使其适用于各种极端环境条件。
FGAF40N60UFD 广泛应用于多种高功率电子系统中，包括工业电源、电机驱动器、DC-DC转换器、UPS（不间断电源）、光伏逆变器以及家用电器中的功率控制模块。由于其高耐压和低导通电阻特性，该器件也常用于高频开关电源设计中，以提高能效并降低发热。此外，它还可用于电动车充电设备和智能电网系统中的功率转换部分。
FGAF40N60UFD 的替代型号包括 FGA40N60UD、FGAF40N60SMD 和类似规格的 N 沟道 MOSFET 器件。
