您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > FGA70N30TTU

FGA70N30TTU 发布时间 时间:2023/12/19 17:30:42 查看 阅读:109

产品种类: IGBT 晶体管

目录

概述

制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
封装 / 箱体: TO-3P
集电极—发射极最大电压 VCEO: 300 V
栅极/发射极最大电压: +/- 30 V
封装: Tube
配置: Single
最大工作温度: + 150℃
最小工作温度: - 55

安装风格: Through Hole

FGA70N30TTU推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

FGA70N30TTU参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列-
  • IGBT 类型沟道
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)300V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)1.5V @ 15V,20A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)-
  • 功率 - 最大201W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-3P-3,SC-65-3
  • 供应商设备封装TO-3P
  • 包装管件