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FGA6560WDF 发布时间 时间:2025/5/8 19:55:53 查看 阅读:3

FGA6560WDF是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET,采用DPAK封装形式。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动和各种功率管理电路中。其低导通电阻和高电流处理能力使其成为高效功率转换的理想选择。
  FGA6560WDF具备出色的热性能和电气性能,能够有效降低系统功耗并提高整体效率。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:39A
  导通电阻(典型值):4.5mΩ
  栅极电荷:128nC
  输入电容:3780pF
  工作结温范围:-55℃至+175℃

特性

1. 超低导通电阻设计,有助于减少导通损耗并提升效率。
  2. 高电流承载能力,适用于大功率应用场合。
  3. 快速开关速度,可实现高频操作,减小磁性元件体积。
  4. 符合RoHS标准,环保无铅封装。
  5. 内置雪崩击穿保护功能,增强可靠性。
  6. 卓越的热稳定性和耐用性,适合恶劣环境下的长期使用。

应用

1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 负载开关
  4. 电机驱动与控制
  5. 工业自动化设备
  6. 汽车电子系统中的功率管理
  7. 电池保护与充电电路

替代型号

IRF6560
  STP60NF06L
  FDP6560

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FGA6560WDF参数

  • 现有数量421现货
  • 价格1 : ¥38.24000管件
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态停产
  • IGBT 类型沟槽型场截止
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)650 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)120 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm)180 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值)2.3V @ 15V,60A
  • 功率 - 最大值306 W
  • 开关能量2.46mJ(开),520μJ(关)
  • 输入类型标准
  • 栅极电荷84 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值25.6ns/71ns
  • 测试条件400V,60A,6 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr)110 ns
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-3P-3,SC-65-3
  • 供应商器件封装TO-3PN