FGA6560WDF是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET,采用DPAK封装形式。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动和各种功率管理电路中。其低导通电阻和高电流处理能力使其成为高效功率转换的理想选择。
FGA6560WDF具备出色的热性能和电气性能,能够有效降低系统功耗并提高整体效率。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:39A
导通电阻(典型值):4.5mΩ
栅极电荷:128nC
输入电容:3780pF
工作结温范围:-55℃至+175℃
1. 超低导通电阻设计,有助于减少导通损耗并提升效率。
2. 高电流承载能力,适用于大功率应用场合。
3. 快速开关速度,可实现高频操作,减小磁性元件体积。
4. 符合RoHS标准,环保无铅封装。
5. 内置雪崩击穿保护功能,增强可靠性。
6. 卓越的热稳定性和耐用性,适合恶劣环境下的长期使用。
1. 开关电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
3. 负载开关
4. 电机驱动与控制
5. 工业自动化设备
6. 汽车电子系统中的功率管理
7. 电池保护与充电电路
IRF6560
STP60NF06L
FDP6560