FGA60N65SMD是一款高压MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于N沟道增强型器件。它通常用于开关电源、电机驱动、逆变器等需要高电压和快速开关的应用中。该器件采用TO-220封装形式,具备低导通电阻、高击穿电压以及优秀的开关性能。
最大漏源电压:650V
连续漏极电流:6A
导通电阻:3.8Ω
栅极电荷:45nC
开关速度:快速
工作温度范围:-55℃至+150℃
封装形式:TO-220
FGA60N65SMD具有以下主要特性:
1. 高耐压能力:其最大漏源电压为650V,适用于高压环境下的应用。
2. 较低的导通电阻:在典型工作条件下,导通电阻仅为3.8Ω,有助于降低功率损耗。
3. 快速开关性能:通过优化设计,器件能够实现高效的开关操作,减少开关损耗。
4. 良好的热稳定性:能够在-55℃到+150℃的工作温度范围内稳定运行,适应各种极端环境。
5. 紧凑封装:采用标准TO-220封装,便于安装和散热管理。
FGA60N65SMD广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):包括AC-DC转换器和DC-DC转换器。
2. 电机驱动:用于控制直流无刷电机或其他类型电机的速度和方向。
3. 逆变器:太阳能逆变器和其他类型的电力电子变换设备。
4. 工业自动化:如伺服控制器和可编程逻辑控制器(PLC)。
5. 汽车电子:如车载充电器和电动车动力系统。
6. 其他需要高效功率切换的应用场景。
IRF650N
STP60NF06
FDP60N65C
IXYS IXFN60N65T2