您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > FGA60N65SMD

FGA60N65SMD 发布时间 时间:2025/6/4 21:06:14 查看 阅读:5

FGA60N65SMD是一款高压MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于N沟道增强型器件。它通常用于开关电源、电机驱动、逆变器等需要高电压和快速开关的应用中。该器件采用TO-220封装形式,具备低导通电阻、高击穿电压以及优秀的开关性能。

参数

最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:6A
  导通电阻:3.8Ω
  栅极电荷:45nC
  开关速度:快速
  工作温度范围:-55℃至+150℃
  封装形式:TO-220

特性

FGA60N65SMD具有以下主要特性:
  1. 高耐压能力:其最大漏源电压为650V,适用于高压环境下的应用。
  2. 较低的导通电阻:在典型工作条件下,导通电阻仅为3.8Ω,有助于降低功率损耗。
  3. 快速开关性能:通过优化设计,器件能够实现高效的开关操作,减少开关损耗。
  4. 良好的热稳定性:能够在-55℃到+150℃的工作温度范围内稳定运行,适应各种极端环境。
  5. 紧凑封装:采用标准TO-220封装,便于安装和散热管理。

应用

FGA60N65SMD广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):包括AC-DC转换器和DC-DC转换器。
  2. 电机驱动:用于控制直流无刷电机或其他类型电机的速度和方向。
  3. 逆变器:太阳能逆变器和其他类型的电力电子变换设备。
  4. 工业自动化:如伺服控制器和可编程逻辑控制器(PLC)。
  5. 汽车电子:如车载充电器和电动车动力系统。
  6. 其他需要高效功率切换的应用场景。

替代型号

IRF650N
  STP60NF06
  FDP60N65C
  IXYS IXFN60N65T2

FGA60N65SMD推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

FGA60N65SMD资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

FGA60N65SMD参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列-
  • IGBT 类型场截止
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)650V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2.5V @ 15V,60A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)120A
  • 功率 - 最大600W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-3P-3,SC-65-3
  • 供应商设备封装TO-3P
  • 包装管件
  • 其它名称FGA60N65SMD-ND