时间：2025/8/25 0:51:08
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FGA60N60SMD是一款由ON Semiconductor生产的高功率N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高电流和高功率的应用。该器件采用先进的平面技术，具有优异的导通和开关性能，适用于诸如电源管理、工业电机控制和功率转换等场景。
漏源电压(Vds)：600V
栅源电压(Vgs)：±20V
漏极电流(Id)：60A
导通电阻(Rds(on))：典型值为0.16Ω
封装形式：TO-220-3
工作温度范围：-55°C至150°C
FGA60N60SMD的先进平面技术确保了其在高电压和高电流环境下的稳定运行。该器件具有低导通电阻，有助于减少功率损耗，提高整体效率。其封装设计优化了热性能，确保在高负载条件下仍能保持良好的散热能力。此外，FGA60N60SMD具有快速的开关速度，适用于高频操作，进一步减少了开关损耗。该器件的高雪崩能量耐受能力也使其在需要高可靠性的应用中表现出色。
此外，FGA60N60SMD的栅极驱动特性使其易于与标准驱动电路兼容，简化了设计和集成。其坚固的结构设计也提供了出色的短路耐受能力，增强了系统的整体稳定性。
FGA60N60SMD广泛应用于多种高功率场景，包括但不限于电源转换器（如DC-DC转换器和AC-DC电源）、电机驱动器、工业自动化设备、照明系统以及电动汽车充电器等。由于其优异的性能和可靠性，该器件也非常适合用于需要高效率和高稳定性的应用，如太阳能逆变器和不间断电源（UPS）系统。
FGA60N60SMD可以被FGA60N65SMD或FGA60N60SMD-F代替，这些型号在性能和参数上相近，适用于类似的应用场景。
