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FGA60N60SFD 发布时间 时间:2025/8/25 0:52:43 查看 阅读:17

FGA60N60SFD是一款由Fairchild Semiconductor(飞兆半导体)推出的高性能IGBT(绝缘栅双极型晶体管)器件,适用于高功率和高频率应用。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降特性,具备优良的导通性能和开关速度。该IGBT采用先进的沟槽栅场阻断技术,优化了导通损耗和开关损耗之间的平衡。其封装形式为TO-247,适用于各种工业电力电子设备。

参数

类型:IGBT
  最大集电极-发射极电压(Vce):600V
  最大集电极电流(Ic):60A
  最大工作温度:150℃
  导通压降(Vce_sat):约2.1V(典型值,Ic=30A)
  输入电容(Cies):约1800pF
  输出电容(Coes):约300pF
  反向恢复时间(trr):约200ns
  封装类型:TO-247
  

特性

FGA60N60SFD IGBT具有多项优异的电气和热性能,适合高功率密度和高效率设计的需求。首先,其600V的额定电压使其适用于多种中高压应用,例如电源转换器、电机驱动器和不间断电源(UPS)系统。其次,60A的最大集电极电流能力使其能够处理较大的负载电流,适合高功率应用场景。
  该器件的导通压降较低,典型值为2.1V,这有助于降低导通损耗,提高整体效率。同时,FGA60N60SFD采用了先进的沟槽栅技术,优化了开关性能,具有较快的开关速度和较低的开关损耗,适用于高频开关操作。
  此外,FGA60N60SFD内置了一个快速恢复二极管(FRD),与IGBT集成在同一封装中,进一步简化了电路设计并提高了系统的可靠性。该二极管具有较低的反向恢复时间和反向恢复电荷,有助于减少开关过程中的能量损耗。
  在热性能方面,TO-247封装提供了良好的散热能力,使得该器件能够在较高的工作温度下稳定运行。最大工作温度为150℃,表明其具有良好的热稳定性,适用于严苛的工作环境。

应用

FGA60N60SFD广泛应用于多种高功率电子系统中,包括但不限于以下几个方面:首先,该器件常用于工业电机驱动和变频器中,作为功率开关,控制电机的速度和扭矩。其高电压和高电流能力使其适合于大功率交流电机控制应用。
  其次,FGA60N60SFD可用于不间断电源(UPS)系统中的DC-AC逆变器部分,将直流电源转换为稳定的交流输出,以确保在电网故障时能够持续供电。其快速开关特性和低导通损耗使其成为UPS系统中的理想选择。
  此外,该IGBT也可用于太阳能逆变器系统中,作为光伏逆变器的核心功率开关器件,将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电并馈入电网。其高效率和高可靠性有助于提高太阳能系统的整体性能。
  最后,FGA60N60SFD还可用于感应加热设备、焊接机、电焊机和电能质量调节装置等高功率应用中,满足对高效率和高可靠性的需求。

替代型号

FGA60N60UFD、FGA60N65SMD、SGW60N60WU、SGW60N60WUD

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