FGA50S110P 时间：2025/7/1 20:00:44 阅读：10

FGA50S110P 是一款由 Fairchild（现已被 ON Semiconductor 收购）生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件具有低导通电阻和高电流处理能力，非常适合用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等应用中。FGA50S110P 的封装形式为 TO-220，这使其能够有效散热并适合较高功率的应用场景。
　　该器件以其卓越的电气特性和可靠性著称，在工业和消费电子领域均得到了广泛应用。

参数

型号：FGA50S110P
　　类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源极击穿电压 (Vds)：110 V
　　连续漏极电流 (Id)：50 A
　　栅极-源极电压 (Vgs)：±20 V
　　导通电阻 (Rds(on))：3.4 mΩ（典型值，Vgs=10V 时）
　　总功耗：160 W
　　结温范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220

特性

FGA50S110P 具有以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻（3.4 mΩ），可减少导通损耗，提高系统效率。
　　2. 高额定电流（50 A），适用于大电流应用场景。
　　3. 高击穿电压（110 V），确保在高电压环境下的稳定运行。
　　4. 快速开关速度，降低开关损耗，适合高频开关应用。
　　5. 可靠的热性能设计，通过 TO-220 封装实现高效散热。
　　6. 工作温度范围宽广（-55°C 至 +175°C），适应多种极端环境条件。
　　这些特性使得 FGA50S110P 成为需要高性能功率管理场合的理想选择。

应用

FGA50S110P 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关模式电源 (SMPS)，包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
　　2. 电机控制和驱动电路，例如步进电机和无刷直流电机驱动。
　　3. 电池保护和负载切换。
　　4. 太阳能逆变器和其他可再生能源转换系统。
　　5. 各类工业自动化设备中的功率管理模块。
　　由于其强大的电流处理能力和低导通电阻，FGA50S110P 特别适合于需要高效功率转换和低热量产生的应用。