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FGA50N100BNTDTU 发布时间 时间:2025/4/29 12:52:42 查看 阅读:4

FGA50N100BNTDTU 是一款由 Fairchild(现为 ON Semiconductor)生产的 N 沣道晶体管。该器件采用 TO-247 封装,广泛应用于开关电源、逆变器、电机驱动等领域。其高电压和中等电流的特性使其适用于需要高耐压但中等功率输出的应用场景。
  该型号是 FGA50N100 系列的一部分,具有低导通电阻和出色的开关性能,能够有效减少功率损耗并提高系统效率。

参数

最大漏源电压:1000V
  连续漏极电流:50A
  栅极阈值电压:4V 至 6V
  导通电阻:1.8Ω(典型值,在特定条件下)
  功耗:390W
  结温范围:-55℃ 至 175℃

特性

FGA50N100BNTDTU 具有以下显著特性:
  1. 高耐压能力,支持高达 1000V 的漏源电压,适用于高压环境下的应用。
  2. 中等电流处理能力,最大连续漏极电流为 50A,满足中等功率需求。
  3. 低导通电阻,典型值为 1.8Ω,在高电流工作时能有效降低功耗。
  4. 出色的开关性能,可实现快速开关操作,从而提高效率并减少热量产生。
  5. 宽温度范围支持,可在 -55℃ 至 175℃ 的结温范围内稳定运行,适应各种恶劣环境。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且适合长期使用。

应用

FGA50N100BNTDTU 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS),用于高效能量转换。
  2. 逆变器电路,提供稳定的交流输出。
  3. 电机驱动控制,用于工业自动化设备。
  4. UPS 不间断电源系统,确保电力供应稳定性。
  5. 太阳能逆变器,将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电。
  6. 各类高压电子设备中的功率开关组件。

替代型号

FGA50N100BND
  FGA50N100B
  IRG4PC30KD
  STGW50N100D2

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FGA50N100BNTDTU参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列-
  • IGBT 类型NPT 和沟道
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1000V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2.9V @ 15V,60A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)50A
  • 功率 - 最大156W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-3P-3,SC-65-3
  • 供应商设备封装TO-3PN
  • 包装管件