时间：2025/4/30 17:51:24
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FGA50N100BNTD2 是一款由 Fairchild（现已被 ON Semiconductor 收购）生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用 TO-247 封装形式，适用于高电压和中等功率的应用场景。其额定耐压为 100V，持续漏极电流高达 50A，具备低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及 DC-DC 转换器等领域。
该型号是 FGA 系列中的一个增强型器件，具有出色的热性能和电气性能，能够满足工业级和消费级应用的严格要求。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：50A
栅极阈值电压：3V~4V
导通电阻：2.8mΩ（典型值，@Vgs=10V）
总功耗：160W
结温范围：-55℃~+175℃
封装形式：TO-247
FGA50N100BNTD2 的主要特性包括：
1. 高电压耐受能力：100V 的额定漏源电压使其能够在高压环境中稳定工作。
2. 大电流承载能力：50A 的连续漏极电流确保其适用于大功率应用。
3. 极低的导通电阻：2.8mΩ 的典型导通电阻降低了导通损耗，提高了系统效率。
4. 快速开关特性：短的开启和关断时间减少了开关损耗。
5. 优秀的热性能：采用 TO-247 封装，具备良好的散热能力。
6. 高可靠性：符合工业级标准，适用于严苛的工作环境。
7. 宽工作温度范围：从 -55℃ 到 +175℃ 的结温范围使其适应各种极端条件。
FGA50N100BNTD2 可用于以下应用领域：
1. 开关电源 (SMPS)：作为主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动：控制直流电机或无刷电机的速度和方向。
3. 逆变器：用于太阳能逆变器和其他类型的电力转换设备。
4. DC-DC 转换器：实现高效的电压调节功能。
5. 工业自动化设备：如可编程逻辑控制器 (PLC) 和伺服驱动器。
6. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV)：用作电池管理系统 (BMS) 中的关键组件。
7. 充电器：快充适配器和车载充电器等产品。
FGA50N100B, FGA50N100BND
