时间：2025/5/9 9:39:34
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FGA25N120ANTDTU是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于N沟道增强型功率MOSFET。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于多种工业应用中的功率转换和电机驱动场景。其封装形式为TO-247，适合表面贴装或通孔安装。
最大漏源电压：1200V
连续漏极电流：25A
导通电阻：95mΩ
栅极电荷：35nC
开关时间：ton=80ns, toff=45ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
FGA25N120ANTDTU采用先进的制造工艺，具备以下显著特点：
1. 极低的导通电阻，在高温条件下也能保持出色的效率。
2. 高击穿电压设计，确保在高压环境下的稳定运行。
3. 快速开关特性，减少开关损耗，提升系统整体效率。
4. 具备优异的雪崩能力和抗静电性能，增强器件的可靠性。
5. 封装设计优化散热性能，适用于高功率密度的应用场景。
该器件广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）和DC-DC转换器中作为主开关管。
2. 工业电机驱动和逆变器控制电路。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的功率管理模块。
4. 电动汽车充电设备和电池管理系统。
5. 高压负载切换和保护电路。
FGA20N120ANTD, FGA30N120ANTD, IRFP250N
