时间：2025/4/30 20:59:21
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FGA25N120ANTDTU-F109 是一款由 Fairchild（现为 ON Semiconductor）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TO-247 封装形式，具有高击穿电压、低导通电阻和快速开关特性，适用于多种高压电源转换和电机驱动应用。
FGA25N120ANTDTU-F109 的典型应用场景包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、逆变器以及工业控制设备中的功率级管理等。由于其出色的电气性能和可靠性，这款 MOSFET 在中高功率应用领域备受青睐。
最大漏源电压：1200V
连续漏极电流：25A
导通电阻（Rds(on)）：3.8Ω（在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：65nC
输入电容：3200pF
总功耗：350W
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
1. 高耐压能力，适合高达 1200V 的应用环境。
2. 较低的导通电阻 Rds(on)，能够有效减少传导损耗，提高效率。
3. 快速开关特性，有助于降低开关损耗，并支持高频操作。
4. 具备雪崩能量吸收能力，增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
5. 支持高温运行，适应恶劣的工作条件。
6. 采用行业标准的 TO-247 封装，便于安装和散热设计。
1. 开关电源（Switching Mode Power Supplies, SMPS）。
2. DC-DC 转换器及 PFC（功率因数校正）电路。
3. 工业逆变器和电机驱动系统。
4. 太阳能逆变器和风力发电系统的功率转换模块。
5. 各类高压大电流负载的切换控制。
6. 不间断电源（UPS）和电池充电器中的功率开关组件。
FGA20N120ANDTU-F109
IRG4PC30KD
STGW25N120D2
