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FGA15N120ANTDTU_F109 发布时间 时间:2023/12/19 17:31:41 查看 阅读:303

产品种类: IGBT 晶体管

目录

概述

制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
封装 / 箱体: TO-3P
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
集电极最大连续电流 Ic: 24 A
封装: Tube
配置: Single
最大工作温度: + 150

最小工作温度: - 55

安装风格: Through Hole

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FGA15N120ANTDTU_F109参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列-
  • IGBT 类型NPT 和沟道
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1200V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2.4V @ 15V,15A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)30A
  • 功率 - 最大186W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-3P-3,SC-65-3
  • 供应商设备封装TO-3PN
  • 包装管件