时间：2025/8/24 21:42:13
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FGA15N120ANFD是一款由ON Semiconductor生产的高电压、高电流IGBT（绝缘栅双极型晶体管）器件，适用于高功率应用场合。该器件具有良好的导通特性和开关性能，适用于各种电力电子设备。
类型：IGBT
最大集电极-发射极电压（VCES）：1200V
最大集电极电流（IC）：15A（在TC=100°C时）
栅极-发射极电压（VGE）：±20V
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-247
短路耐受能力：有
反向恢复时间：典型值1.2μs
FGA15N120ANFD具有优异的导通压降和开关损耗平衡，使其在高电压和高功率应用中表现出色。其1200V的阻断电压能力使其适用于需要高电压隔离的场合。此外，该器件具有良好的热稳定性，能够在高温度环境下稳定工作。其TO-247封装形式便于散热设计，并具有良好的机械稳定性和电气性能。该IGBT还具备较强的短路耐受能力，提高了系统的可靠性。此外，该器件的反向恢复特性优化，降低了开关过程中的损耗，提高了整体效率。
FGA15N120ANFD广泛应用于高功率变频器、电机驱动器、工业电源、UPS系统、感应加热设备以及新能源领域的逆变器和转换器。它适用于需要高效能、高可靠性的功率转换系统。
FGA15N120AND、FGA15N120ANTD、IXGH15N120BD1、STGY15NB120HD
