时间：2025/8/25 1:13:53
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FGA11N120是一款由富士电机（Fuji Electric）制造的高电压、高电流IGBT（绝缘栅双极晶体管）芯片，专为高功率应用设计。该器件具有优异的导通和开关性能，适用于工业电机驱动、电力转换系统、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器等需要高效能功率开关的场合。FGA11N120采用了先进的沟槽栅和电场截止技术，确保了低导通压降和快速的开关速度，从而减少了功率损耗并提高了整体系统效率。
集电极-发射极击穿电压（VCES）：1200V
集电极电流（IC）：11A
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
短路耐受能力：5μs @ VCE=800V
栅极驱动电压范围：±20V
导通压降（VCE_sat）：约2.1V（典型值）
开关损耗（Eon/Eoff）：约1.2mJ/0.8mJ（在测试条件下）
FGA11N120具备优异的导通和开关性能，其导通压降较低，通常在2.1V左右，有助于减少导通损耗。该IGBT采用沟槽栅结构和场截止技术，有效提高了电流密度和开关速度，同时保持良好的短路耐受能力，能够在800V条件下承受5μs的短路电流。此外，其栅极驱动电压范围为±20V，具备较高的抗干扰能力和可靠性。
该器件的封装形式通常为TO-247或类似的高功率封装，确保良好的热管理和散热性能。FGA11N120的工作温度范围较宽，从-55°C到+150°C，适应各种恶劣环境下的运行需求。其开关损耗较低，Eon约为1.2mJ，Eoff约为0.8mJ，有助于提升整体系统效率并减少散热设计的复杂度。
此外，FGA11N120具备良好的短路保护能力，适用于需要高可靠性的工业控制和电源转换系统。其设计优化了电磁干扰（EMI）特性，有助于减少外围电路的滤波元件，简化系统设计。
FGA11N120主要应用于高功率开关电源、工业电机驱动、UPS不间断电源、太阳能逆变器、焊接设备、感应加热系统等领域。由于其高耐压、高电流承载能力和优异的开关性能，该IGBT特别适合用于需要高效能量转换和稳定运行的电力电子设备中。
FGA15N120, FGA25N120, FGH40N120, STGY10NC120HD, IHW30N120R5
