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FFSH2065ADN-F155 发布时间 时间:2025/8/28 18:45:42 查看 阅读:66

FFSH2065ADN-F155是一款由富士电机(Fuji Electric)制造的IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块,专为高功率应用设计。该模块广泛应用于工业电机驱动、逆变器、电源转换系统和电动汽车等领域。其封装设计和电气性能使其在高电压和高电流条件下具备良好的稳定性和可靠性。

参数

类型:IGBT模块
  最大集电极-发射极电压(VCES):650V
  额定集电极电流(IC):20A
  最大工作温度:150°C
  封装类型:表面贴装(SMD)
  短路耐受能力:有
  工作温度范围:-40°C至+150°C
  隔离电压:2500V AC(根据封装)

特性

FFSH2065ADN-F155采用了富士电机先进的IGBT技术和沟槽栅结构,以提高导通性能和开关效率。该模块具有较低的导通压降和开关损耗,从而减少了整体系统的能量损耗并提高了能效。其设计还具备出色的短路耐受能力,能够在极端工况下维持稳定运行,提高了系统的安全性和可靠性。
  此外,该模块具有良好的热性能,能够有效散发工作过程中产生的热量,从而延长器件的使用寿命。其封装结构具备高绝缘性能,确保在高压环境下操作的安全性。FFSH2065ADN-F155还采用了无铅封装工艺,符合RoHS环保标准,适用于现代绿色电子制造需求。

应用

FFSH2065ADN-F155主要应用于需要高功率密度和高效能的电力电子系统中,例如工业变频器、伺服驱动器、UPS不间断电源、太阳能逆变器以及电动汽车充电设备等。由于其出色的性能和可靠性,该模块也适用于对安全性和稳定性要求较高的自动化控制和电机驱动系统。

替代型号

FFSH1565ADN-F155, FFSH2565ADN-F155

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FFSH2065ADN-F155参数

  • 现有数量650现货
  • 价格1 : ¥70.67000管件
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • 技术SiC(Silicon Carbide)Schottky
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)650 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)13A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)-
  • 速度无恢复时间 > 500mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)0 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏200 μA @ 650 V
  • 不同?Vr、F 时电容575pF @ 1V,100kHz
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商器件封装TO-247-3
  • 工作温度 - 结-55°C ~ 175°C