FFQP3P50 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)制造的功率晶体管,属于双极型晶体管(BJT)类别,主要用于高功率放大和开关应用。该晶体管采用了先进的制造工艺,具有较高的电流处理能力和热稳定性,适用于工业控制、电源管理和汽车电子等领域。
类型: NPN 双极型晶体管
最大集电极电流(Ic): 3A
最大集电极-发射极电压(Vceo): 50V
最大集电极-基极电压(Vcbo): 60V
最大发射极-基极电压(Vebo): 5V
最大功耗(Ptot): 30W
工作温度范围: -55°C 至 150°C
封装类型: TO-220AB
增益带宽积(fT): 100MHz
电流增益(hFE): 10000(典型值)
FFQP3P50 晶体管具备多项显著特性,使其在高功率应用中表现出色。
首先,该晶体管的最大集电极电流为 3A,能够在较大的负载条件下稳定工作,适用于高电流驱动的应用,如电机控制、继电器驱动和功率放大器。其最大集电极-发射极电压为 50V,允许在较高的电压环境下使用,适用于中等电压的电源转换和调节系统。
其次,该晶体管的最大功耗为 30W,具备良好的热稳定性,能够在高功率运行时保持较低的温度上升,从而提高系统的可靠性和寿命。TO-220AB 封装形式有助于良好的散热,同时便于安装在散热片上,适用于需要良好热管理的电路设计。
此外,FFQP3P50 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C,具有优异的环境适应能力,适用于各种恶劣的工作条件,如工业自动化、汽车电子和户外设备等。其增益带宽积为 100MHz,表明其在高频应用中也能保持良好的性能,适合用于高频开关和放大电路。
最后,该晶体管的电流增益(hFE)典型值为 10000,具有较高的电流放大能力,能够有效提升电路的增益性能,适用于需要高增益放大的电路设计。这些特性共同使得 FFQP3P50 成为一款性能优异的功率晶体管,适用于多种高功率电子系统。
FFQP3P50 主要应用于需要高功率处理能力的电子设备中。在工业控制领域,该晶体管可用于驱动电机、继电器和其他高功率负载,适用于自动化生产线、工业机器人和电力控制系统等场合。在电源管理方面,该晶体管可应用于 DC-DC 转换器、线性稳压器和开关电源设计中,能够有效提高电源转换效率并减少功耗。在汽车电子领域,该晶体管可用于车身控制模块、电动助力转向系统、车载充电系统等应用场景,满足汽车电子对高可靠性和宽工作温度范围的需求。此外,该晶体管还可用于音频功率放大器、高频信号放大器和射频功率放大器等电子设备中,提供稳定的放大性能。由于其高电流增益和良好的热稳定性,FFQP3P50 也适用于各种需要高精度控制和高可靠性的电子系统,如测试测量仪器、医疗设备和安防监控系统等。
TIP31C, BD243C, 2N6387