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FFPF10UP20STU 发布时间 时间:2025/6/11 19:53:56 查看 阅读:23

FFPF10UP20STU是一种N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-263封装形式。该器件适用于多种功率转换和电机驱动应用场合,其设计目标是提供高效率、低导通电阻以及优异的开关性能。它具有较低的栅极电荷和输出电容,这使得其在高频开关电路中表现出色。

参数

最大漏源电压:200V
  连续漏极电流:10A
  导通电阻(Rds(on)):0.18Ω(典型值,在Vgs=10V时)
  栅极电荷:40nC(典型值)
  总电容:560pF(典型值)
  工作结温范围:-55℃至+175℃

特性

FFPF10UP20STU具备优秀的电气性能和可靠性。
  1. 极低的导通电阻确保了功率损耗最小化,提高了整体效率。
  2. 优化的开关性能,包括低栅极电荷和快速开关速度,使其适合高频应用。
  3. 高耐压能力(200V)使它可以在高压环境中稳定运行。
  4. 具备出色的热稳定性,能够承受高温环境下的长期运行。
  5. TO-263封装形式提供了良好的散热性能,同时易于安装和使用。

应用

这种功率MOSFET广泛应用于多个领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的高频开关元件。
  2. 直流-直流转换器(DC-DC Converter)用于汽车电子系统。
  3. 各种电机驱动电路,如步进电机和无刷直流电机控制。
  4. 逆变器和光伏系统中的功率管理模块。
  5. 电池保护和负载切换电路。

替代型号

FFPF10UP20SPT, FPF10UP20SPT

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FFPF10UP20STU参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型标准
  • 电压 - (Vr)(最大)200V
  • 电流 - 平均整流 (Io)10A
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.15V @ 10A
  • 速度快速恢复 = 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)35ns
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电100µA @ 200V
  • 电容@ Vr, F-
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-2 整包
  • 供应商设备封装TO-220F
  • 包装管件