时间：2025/6/11 19:53:56
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FFPF10UP20STU是一种N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-263封装形式。该器件适用于多种功率转换和电机驱动应用场合，其设计目标是提供高效率、低导通电阻以及优异的开关性能。它具有较低的栅极电荷和输出电容，这使得其在高频开关电路中表现出色。
最大漏源电压：200V
连续漏极电流：10A
导通电阻（Rds(on)）：0.18Ω（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：40nC（典型值）
总电容：560pF（典型值）
工作结温范围：-55℃至+175℃
FFPF10UP20STU具备优秀的电气性能和可靠性。
1. 极低的导通电阻确保了功率损耗最小化，提高了整体效率。
2. 优化的开关性能，包括低栅极电荷和快速开关速度，使其适合高频应用。
3. 高耐压能力（200V）使它可以在高压环境中稳定运行。
4. 具备出色的热稳定性，能够承受高温环境下的长期运行。
5. TO-263封装形式提供了良好的散热性能，同时易于安装和使用。
这种功率MOSFET广泛应用于多个领域：
1. 开关电源(SMPS)中的高频开关元件。
2. 直流-直流转换器（DC-DC Converter）用于汽车电子系统。
3. 各种电机驱动电路，如步进电机和无刷直流电机控制。
4. 逆变器和光伏系统中的功率管理模块。
5. 电池保护和负载切换电路。
FFPF10UP20SPT, FPF10UP20SPT
