类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：600V
　　漏极电流（ID）：10A
　　RDS(on)（最大值）：典型值为0.55Ω（在VGS=10V时）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2V~4V（在ID=1mA时）
　　功耗（PD）：100W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220FP

FFPF10U60S具有多个关键特性，使其成为许多功率转换应用的理想选择。首先，其600V的高漏源击穿电压使其能够处理较高的电压，适合用于AC-DC转换器、电机控制、照明系统和电源管理设备。其次，该器件具有10A的连续漏极电流能力，足以满足中高功率需求。
　　该器件的导通电阻（RDS(on)）较低，典型值为0.55Ω，这有助于降低导通损耗并提高系统效率。此外，FFPF10U60S采用TO-220FP封装，具有良好的热管理和散热能力，适合在高温环境下运行。该封装形式还提供了优良的机械稳定性和易于安装的特性。
　　FFPF10U60S的工作温度范围广泛，从-55°C到+150°C，适用于多种工业和消费类应用。栅极阈值电压范围为2V~4V，使得该MOSFET可以与多种控制电路兼容，包括基于微控制器的系统。其100W的功率耗散能力也确保了其在高负载条件下的稳定运行。

FFPF10U60S广泛应用于多种电力电子系统中。它常用于AC-DC电源转换器，如开关电源（SMPS）、适配器和充电器。此外，它也适用于LED照明驱动电路、电机驱动器和逆变器系统，其中需要高电压和中等电流的控制。
　　由于其高电压耐受能力和良好的导通性能，该MOSFET也常用于工业自动化设备中的功率控制模块。在智能家电和节能照明系统中，FFPF10U60S可用于调节功率输出，提高能效。
　　此外，该器件也可用于电池管理系统（BMS）、光伏逆变器和UPS（不间断电源）系统，确保在高电压环境下可靠运行。其良好的热管理和稳定性使其成为多种高可靠性应用的首选。

FQP10N60C, STP10NM60ND, IRFBC40