时间：2025/8/13 22:35:30
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FFMAF207 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的双极型晶体管（BJT），属于 NPN 型高频晶体管。该器件设计用于射频（RF）和高频放大应用，具有优良的高频响应和增益特性，适用于通信设备、无线模块以及其他高频电子电路。
类型：NPN 双极型晶体管
最大集电极-发射极电压（Vce）：30V
最大集电极电流（Ic）：100mA
最大功耗（Ptot）：200mW
最大工作频率（fT）：250MHz
电流增益（hFE）：50 至 600（根据电流和电压条件变化）
封装类型：SOT-23
FFMAF207 的核心特性之一是其高频率性能，使其非常适合用于射频放大器和高速开关电路。该器件具有较宽的工作电压范围，支持从低至几伏到高达30V的电源供应，增强了其在不同电路设计中的适应性。此外，其电流增益范围较大，可以在不同工作条件下提供良好的放大性能。
该晶体管的封装采用小型 SOT-23 封装，便于在紧凑型电路设计中使用，同时提供了良好的热管理和电气性能。其最大功耗为200mW，确保在高频工作下仍能保持稳定运行。FFMAF207 还具有较低的噪声系数，使其在射频接收器前端和低噪声放大器中表现优异。
在可靠性方面，FFMAF207 经过严格测试，具有良好的温度稳定性和长期工作寿命，适合用于工业级和通信级设备。
FFMAF207 主要应用于射频放大器、无线通信模块、低噪声放大器（LNA）、混频器、振荡器以及高频开关电路。它还常用于测试仪器、射频识别（RFID）系统、蓝牙模块和Wi-Fi设备中的信号放大部分。由于其良好的高频特性和低噪声性能，该晶体管也广泛用于射频接收电路的前端放大器设计中。
BFQ59, 2N3904, 2N2222, BFU520F
