类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流 (Id)：100A
　　最大漏-源电压 (Vds)：60V
　　最大栅-源电压 (Vgs)：±20V
　　导通电阻 (Rds(on))：最大 6.5mΩ（在 Vgs=10V）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6
　　安装类型：表面贴装
　　技术：增强型 MOSFET
　　极性：N 沟道
　　功耗 (Pd)：130W

FFMAF106 具有多个关键特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了整体系统效率。其次，该器件采用了先进的沟槽栅技术，使得在高电流条件下仍能保持稳定的开关性能。
　　此外，FFMAF106 的 PowerFLAT 5x6 封装设计提供了出色的热管理能力，能够在高功率密度应用中有效散热，从而延长器件寿命并提高可靠性。该封装还具有较小的尺寸，适用于空间受限的设计。
　　此 MOSFET 支持高达 100A 的连续漏极电流，适用于高负载应用，如电机驱动、DC-DC 转换器和电池管理系统。其 ±20V 的栅极电压容限使其适用于多种栅极驱动电路，避免了因栅极过压而引起的损坏。
　　FFMAF106 还具有出色的短路耐受能力，可在极端工作条件下提供额外的保护。这使得它在汽车电子系统和工业控制设备中具有很高的适用性。

FFMAF106 广泛应用于多个领域，包括但不限于汽车电子、工业自动化、电源管理和电机控制。在汽车应用中，它常用于电动助力转向系统（EPS）、电池管理系统（BMS）以及 DC-DC 转换器。在工业设备中，它适用于伺服电机驱动器、可编程逻辑控制器（PLC）以及不间断电源（UPS）系统。
　　此外，FFMAF106 也常用于高功率 DC-DC 转换器和同步整流电路中，作为主开关元件，提供高效能的电压转换。在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，该 MOSFET 也被用于功率调节模块，以实现高效的能量转换与管理。
　　由于其优异的热性能和紧凑的封装，FFMAF106 也适用于便携式设备中的高功率密度设计，例如高性能笔记本电脑的电源管理单元和大功率 LED 驱动器。

STL100N6F7, FDP100N65S3, IRF1404, SiR100DP