FFMA204 时间：2025/8/13 9:09:49 阅读：7

FFMA204 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效功率转换和开关应用而设计，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流容量的特点，适用于各种电源管理系统，如 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制和电池管理系统等。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20 V
　　栅源电压（Vgs）：±12 V
　　连续漏极电流（Id）：4.1 A
　　导通电阻（Rds(on)）：33 mΩ（典型值）
　　功耗（Ptot）：2.4 W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：DFN10（3x3）

特性

FFMA204 具备多项优异特性，使其在功率电子设计中具有广泛应用价值。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在导通状态下的功耗最小化，提高了系统效率。其次，该器件的高电流容量（可达 4.1 A）使其适用于中等功率的开关应用。此外，FFMA204 采用 DFN10（3x3）封装，具有良好的热性能和空间利用率，适合高密度 PCB 设计。该器件还具备良好的栅极电荷特性，有助于降低开关损耗并提高响应速度。最后，其宽泛的工作温度范围（-55°C 至 +150°C）使其能够在多种环境条件下稳定运行，增强了系统的可靠性和耐用性。

应用

FFMA204 广泛应用于各类需要高效功率管理的电子设备中。常见应用包括 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器、电源管理系统、电池管理系统（BMS）、便携式电子设备（如笔记本电脑、平板电脑和智能手机）以及工业自动化设备。由于其高效率和小型化封装，FFMA204 特别适合对空间和功耗有严格要求的设计场景。