时间：2025/8/14 0:35:09
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FFM207P 是一款由东芝（Toshiba）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于各种电源管理和功率转换应用中。该器件采用高性能硅技术制造，具备较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于需要高效率和高可靠性的电路设计。FFM207P 通常用于 DC-DC 转换器、负载开关、马达控制以及电池供电设备中的功率开关。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流（ID）：16A
漏源击穿电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：45mΩ（典型值，VGS=10V）
最大功耗（PD）：40W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220
FFM207P 具备多项优异特性，使其在功率电子应用中表现出色。
首先，其低导通电阻（RDS(on)）为 45mΩ，这意味着在导通状态下，器件的功率损耗较低，有助于提高系统的整体效率。在高电流应用中，低 RDS(on) 可以显著降低热量生成，提高系统的稳定性和寿命。
其次，该 MOSFET 支持高达 16A 的连续漏极电流，适用于中高功率负载的切换和控制。同时，其最大漏源电压为 60V，能够在多种电压等级的电源系统中使用，包括常见的 12V、24V 和 48V 系统。
此外，FFM207P 的栅源电压范围为 ±20V，具有较强的栅极驱动能力，同时也具备一定的过压保护能力，增强了器件在复杂电气环境中的可靠性。
该器件的封装形式为 TO-220，具备良好的散热性能，便于安装在标准散热片上，适用于需要良好热管理的应用场景。
最后，其工作温度范围宽达 -55°C 至 +150°C，适合在极端环境条件下工作，如工业控制、汽车电子和户外设备等。
FFM207P 广泛应用于多种功率电子系统中。在 DC-DC 转换器中，它作为主开关元件，负责高效地将输入电压转换为所需的输出电压，常见于开关电源、服务器电源和通信设备电源模块中。
在负载开关应用中，FFM207P 可用于控制高功率负载的通断，例如在电机控制、LED 照明系统和电池管理系统中，实现快速、高效的开关操作。
由于其具备良好的导通特性和较高的可靠性，FFM207P 也常用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车身控制模块等。
此外，在工业自动化和控制系统中，它可作为功率 MOSFET 阵列的一部分，用于驱动继电器、电磁阀和传感器等执行器设备。
FFM207P 还适用于便携式设备和电池供电系统，如笔记本电脑、平板电脑和 UPS（不间断电源）等，有助于提高能效并延长电池续航时间。
IRFZ44N, FQP16N60, STP16NF06
