FFAS495 时间：2025/8/12 15:21:35 阅读：6

FFAS495是一款由ON Semiconductor生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于高频率开关电源和DC-DC转换器等应用。该器件采用先进的工艺技术制造，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能。FFAS495适用于需要高效率和高可靠性的电源管理系统，尤其是在需要紧凑设计和高效散热的场合。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：30V
　　最大栅源电压(Vgs)：20V
　　最大连续漏极电流(Id)：120A（在25°C时）
　　导通电阻(Rds(on))：最大值为3.2mΩ（典型值为2.8mΩ）
　　最大功耗(Pd)：250W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：Power 8x8 Dual Cool

特性

FFAS495采用了先进的沟槽式MOSFET技术，以实现非常低的导通电阻和卓越的开关性能。这种低Rds(on)特性使得该器件在大电流应用中具有更小的功率损耗，从而提高了整体效率。此外，FFAS495具有高电流处理能力和卓越的热管理能力，得益于其Dual Cool封装技术，允许顶部和底部散热，从而有效降低工作温度。其高可靠性使其适用于汽车电子、工业控制、电源转换和电机驱动等多种应用场景。该器件还具备快速开关特性，能够减少开关损耗，从而提高系统的整体效率。