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FF1400R12IP4 发布时间 时间:2025/4/30 15:56:44 查看 阅读:6

FF1400R12IP4 是一款基于碳化硅 (SiC) 技术的 MOSFET 功率模块,由 Infineon Technologies 推出。该模块采用了半桥拓扑结构,适用于高功率密度和高效率的应用场景。其设计旨在满足电动汽车、可再生能源以及工业驱动等领域对高效功率转换的需求。
  FF1400R12IP4 的核心优势在于其低导通电阻和快速开关性能,同时具有出色的热管理能力。通过使用 SiC 材料,该模块能够实现更高的工作温度范围和更高的开关频率,从而减少系统尺寸并提高整体效率。

参数

额定电压:1200V
  额定电流:1400A
  导通电阻(典型值):3.5mΩ
  最大结温:175°C
  封装类型:Easy2B
  开关频率:高达 100kHz
  栅极电荷(Qg):85nC
  反向恢复时间(trr):<50ns
  热阻(结到壳):0.02K/W

特性

1. 高效的 SiC MOSFET 技术提供了比传统硅基 IGBT 更高的效率。
  2. 半桥拓扑设计使其易于集成到三相逆变器或 DC-DC 转换器中。
  3. 低寄生电感封装确保了高频运行时的稳定性和可靠性。
  4. 高达 175°C 的最大结温允许在极端条件下运行,提高了系统的鲁棒性。
  5. 内置负温度系数特性有助于均流,适合并联应用。
  6. 优化的散热设计,使得模块即使在高功率密度下也能保持较低的工作温度。
  7. 提供了全面的保护功能,包括短路保护和过温保护。

应用

1. 电动汽车中的牵引逆变器。
  2. 工业电机驱动器,尤其是需要高效率和高动态响应的应用。
  3. 太阳能光伏逆变器,用于将直流电转换为交流电。
  4. 不间断电源 (UPS) 系统,提供高效的功率调节。
  5. 充电站基础设施,支持快速充电需求。
  6. 风力发电变流器,用于能量转换与电网连接。

替代型号

FF200R12IP4, FF1200R12IP4

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FF1400R12IP4参数

  • 制造商Infineon
  • 产品IGBT Silicon Modules
  • 配置Dual
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO1200 V
  • 在25 C的连续集电极电流1400 A
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 封装 / 箱体PRIME3
  • 栅极/发射极最大电压+/- 20 V
  • 最小工作温度- 40 C
  • 安装风格Screw