时间：2025/8/1 5:37:02
阅读：33
FF0380SV1-R2000 是一款由 Fuji Electric（富士电机）制造的功率半导体模块，属于IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块系列。该模块集成了IGBT芯片和反向并联的快速恢复二极管，适用于高功率和高频率的电力电子应用。该模块设计用于高效能和高可靠性的工业环境，具有良好的热管理和电气性能。
类型：IGBT模块
集电极-发射极电压（Vce）：1200V
额定集电极电流（Ic）：75A
短路电流能力：150A（10μs）
工作温度范围：-40°C至+150°C
封装类型：双列直插式封装（DIP）
绝缘电压：2500Vrms
栅极驱动电压范围：-15V至+20V
FF0380SV1-R2000 IGBT模块具有多个关键特性，适用于高性能电力电子系统。首先，其高电压耐受能力为1200V，可以支持中高功率应用。额定集电极电流为75A，使其适用于中等功率变换器和逆变器设计。该模块具备强大的短路承受能力，可在10μs内承受高达150A的短路电流，提供良好的过载保护性能。
此外，该模块的工作温度范围宽广，从-40°C到+150°C，适应各种严苛环境条件。模块采用双列直插式封装（DIP），便于安装和散热管理。其绝缘电压为2500Vrms，确保模块在高电压应用中的安全性和可靠性。
模块的栅极驱动电压范围为-15V至+20V，提供了良好的驱动灵活性，并支持常见的IGBT驱动电路设计。FF0380SV1-R2000还具有低导通压降和低开关损耗的特点，有助于提高系统整体效率并减少热量产生，延长模块的使用寿命。
FF0380SV1-R2000 IGBT模块广泛应用于需要高效能功率转换的工业设备中。常见的应用包括变频器、电机驱动器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及工业自动化系统。该模块的高可靠性和高效能特性使其成为各种中高功率电力电子设备的理想选择。
FF0380S1A1-2000, FF0380S1B1-2000
