FF02S50SV1-R3000是一款由富士电机(Fuji Electric)制造的功率半导体模块,属于IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块系列。该模块设计用于高功率应用,如工业电机驱动、变频器、电力转换系统和可再生能源系统。FF02S50SV1-R3000采用了富士电机先进的IGBT技术和封装设计,以确保高效率、高可靠性和紧凑的尺寸。该模块内部集成了多个IGBT芯片和反向并联的二极管,提供高效的功率转换能力。
类型:IGBT模块
额定集电极-发射极电压(VCES):1200V
额定集电极电流(IC):50A
短路耐受电流:100A(10ms)
最大工作温度:150°C
封装类型:双列直插式(Dual-in-line)
热阻(Rth):0.35°C/W(模块到散热器)
工作温度范围:-40°C至+150°C
隔离电压:2500Vrms(1分钟)
芯片技术:沟槽栅场截止IGBT
封装材料:环氧树脂(UL94-V0)
安装方式:PCB表面贴装(SMD)
FF02S50SV1-R3000模块具有多项优异的电气和热性能,适用于多种高功率应用环境。其沟槽栅场截止IGBT芯片技术提供了低导通压降和开关损耗,从而提高了整体系统的效率。模块的双列直插式封装设计有助于提高PCB布局的灵活性,并减少寄生电感的影响,确保在高频开关应用中的稳定性。
此外,该模块具有出色的热管理能力,热阻为0.35°C/W,能够有效将热量传导至散热器,确保在高负载条件下的稳定运行。模块的隔离电压为2500Vrms,提供了良好的电气隔离和安全性,适用于工业和高电压应用。
FF02S50SV1-R3000的封装材料符合UL94-V0标准,具有优异的阻燃性能,能够在高温和恶劣环境中保持稳定。模块的工作温度范围为-40°C至+150°C,适用于各种严苛的工业环境。
该模块还集成了反向并联的二极管,能够有效处理感性负载产生的反向电流,确保系统的稳定性和可靠性。模块的短路耐受能力为100A持续10ms,能够在异常情况下提供一定的保护能力。
FF02S50SV1-R3000广泛应用于工业自动化、电机驱动、变频器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、电动汽车充电系统以及电力电子转换系统等领域。由于其高功率密度和优异的电气性能,该模块特别适合需要高效率和高可靠性的应用场合。
FGA25N120ANTD, IKW50N65H5