FF0251SS1 是一款由 IXYS 公司生产的 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高功率开关应用。该器件具有低导通电阻(Rds(on))、高耐压能力和卓越的热性能,适用于电源管理、电机控制、DC-DC 转换器、电池管理系统以及工业自动化设备等场景。
类型:N 沟道 MOSFET
漏源电压(Vds):250V
栅源电压(Vgs):±20V
漏极电流(Id):25A(连续)
功耗(Pd):160W
工作温度范围:-55°C 至 175°C
导通电阻(Rds(on)):0.085Ω @ Vgs=10V
栅极电荷(Qg):58nC
封装类型:TO-220AC
FF0251SS1 MOSFET 采用先进的平面技术制造,确保了器件的高可靠性和稳定性。其主要特性包括低导通电阻,这使得在高电流条件下功耗更低,效率更高;高耐压能力使其适用于中高功率电源系统;快速开关特性减少了开关损耗,提高了系统效率。此外,该器件具有优异的热稳定性,能够在高温环境下长时间工作而不发生性能退化。封装形式为 TO-220AC,便于散热,适用于多种 PCB 安装方式,具有良好的机械强度和热传导性能。
在电气特性方面,FF0251SS1 提供了宽泛的栅极电压范围(±20V),使其兼容多种驱动电路。同时,其低栅极电荷(Qg)保证了快速的开关响应时间,适用于高频开关应用。此外,该 MOSFET 内部集成了反向恢复二极管,提高了在感性负载切换中的可靠性。
从热管理角度来看,该器件具有良好的热阻性能,结壳热阻(Rthjc)仅为 0.8°C/W,有助于在高负载条件下维持较低的温度升幅,从而延长器件寿命。
FF0251SS1 主要用于各种高功率电子系统中,如开关电源(SMPS)、电机驱动器、电池充电器、逆变器和 DC-DC 转换器等。在工业控制领域,该器件可用于 PLC(可编程逻辑控制器)中的继电器替代,实现更高效的负载控制。此外,它还广泛应用于太阳能逆变器、电动车管理系统和家用电器中的电源开关电路。由于其出色的开关性能和较高的可靠性,该 MOSFET 在自动化控制系统和电力电子设备中也得到了广泛应用。
IXFH25N250P, IXFH24N250P, IRFP250M, FDPF25N250