FEN16CT 时间：2025/8/24 23:02:07 阅读：6

FEN16CT是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于高效率开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等应用。该器件采用先进的Trench沟槽技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)），从而降低了导通损耗，提高了系统效率。其封装形式为TSOP（Thin Small Outline Package），适用于空间受限的高密度电路设计。

参数

类型：N沟道 MOSFET
　　漏源电压(Vds)：20V
　　栅源电压(Vgs)：±12V
　　连续漏极电流(Id)：4.3A
　　导通电阻(Rds(on))：28mΩ @ Vgs=4.5V
　　导通电阻(Rds(on))：34mΩ @ Vgs=2.5V
　　功率耗散(Pd)：2W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TSOP

特性

FEN16CT具有优异的电气性能和热稳定性，适用于高频开关应用。
　　首先，其低导通电阻（Rds(on)）设计显著降低了导通损耗，提升了整体能效。
　　其次，该器件采用了先进的Trench沟槽MOSFET技术，实现了更小的芯片尺寸和更高的电流密度。
　　此外，FEN16CT具有良好的热性能，能够在较高的工作温度下稳定运行，增强了系统的可靠性。
　　它还具备快速开关特性，适用于高频率PWM控制，减少了开关损耗。
　　在封装方面，TSOP封装提供了较小的外形尺寸和良好的散热性能，适合用于便携式设备和高密度PCB布局。
　　该MOSFET还具备较高的抗静电能力（ESD）和良好的雪崩能量承受能力，增强了器件在恶劣工作环境下的耐用性。
　　综上所述，FEN16CT是一款性能优异、可靠性高的功率MOSFET，适用于多种电源管理和功率控制应用。

应用

FEN16CT广泛应用于各种电源管理及功率控制电路中，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统、负载开关、电机驱动电路、电源适配器、便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑）的电源管理模块，以及工业自动化和通信设备中的高效电源模块等。其优异的开关特性和紧凑的封装形式使其成为高频率、高效率电源设计的理想选择。