FEMDNN128G-A3A56是一款高性能的闪存存储芯片,主要应用于嵌入式系统、消费类电子产品和工业控制领域。该芯片采用了先进的制程工艺,具有高密度存储能力和低功耗特性。其128G的大容量存储能力能够满足现代设备对大容量数据存储的需求。
这款芯片设计上注重稳定性和可靠性,能够在广泛的温度范围内正常工作,适合多种应用场景,包括但不限于智能终端、监控设备和物联网节点等。
存储容量:128GB
接口类型:eMMC 5.1
工作电压:1.8V / 3.3V
数据传输速率:最高400MB/s
擦写寿命:3000次(典型值)
工作温度:-25°C 至 +85°C
封装形式:BGA 169球
尺寸:12mm x 16mm x 1.2mm
FEMDNN128G-A3A56具备以下显著特性:
1. 高存储密度:采用先进制程技术,实现128GB的超大存储容量。
2. 快速数据传输:支持eMMC 5.1标准,提供高达400MB/s的数据传输速度。
3. 稳定性强:通过严格测试,确保在极端温度环境下依然可靠运行。
4. 超低功耗:优化了电源管理机制,大幅降低功耗,延长电池续航时间。
5. 兼容性强:支持多种操作系统和文件系统格式,便于开发与集成。
6. 安全性高:内置ECC错误校验功能,保障数据完整性。
FEMDNN128G-A3A56适用于各种需要大容量存储的场景,具体应用包括:
1. 智能家居设备:如智能音箱、智能门锁等。
2. 工业自动化:例如PLC控制器、人机界面等。
3. 医疗设备:如便携式医疗监测仪器。
4. 消费电子:如平板电脑、数码相机、游戏机等。
5. 监控系统:用于视频录制和存储,支持长时间不间断运行。
6. 物联网设备:为传感器网络提供本地数据缓存功能。
FEMDNN64G-A3A56
FEMDNN256G-A3A56