型号：FEH28N50ES
　　制造商：ON Semiconductor (原 Fairchild)
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：500 V
　　最大漏极电流（Id）@25°C：28 A
　　最大漏极电流（Id）@100°C：18 A
　　最大脉冲漏极电流（Idm）：110 A
　　最大功耗（Pd）：300 W
　　导通电阻（Rds(on)）@10V Vgs：0.18 Ω
　　导通电阻（Rds(on)）@10V Vgs, 125°C：0.27 Ω
　　阈值电压（Vgs(th)）：3.0 ~ 4.5 V
　　栅极电荷（Qg）：140 nC
　　输入电容（Ciss）：2000 pF
　　输出电容（Coss）：100 pF
　　反向恢复时间（trr）：60 ns
　　工作结温范围（Tj）：-55 ~ +150 °C
　　封装形式：TO-220 / TO-220F

FEH28N50ES采用先进的平面沟槽技术，这种制造工艺能够有效降低单位面积的导通电阻，从而显著提高器件的电流处理能力和效率。其低Rds(on)特性使得在大电流工作条件下产生的导通损耗大幅降低，提升了整体系统的能效表现。同时，该MOSFET具备较高的击穿电压（500V），可确保在高压环境下稳定运行，适用于各种离线式开关电源设计。
　　该器件具有较低的总栅极电荷（Qg = 140nC），这不仅减少了驱动电路所需的能量，也加快了开关速度，进而降低了开关过程中的动态损耗。这对于高频开关应用尤为重要，例如在LLC谐振转换器或有源钳位正激拓扑中，可以有效提升电源的工作频率和功率密度。此外，其较低的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss）进一步增强了高频响应能力，减小了寄生效应带来的负面影响。
　　FEH28N50ES具备出色的热稳定性与可靠性，在150°C的最大结温下仍能保持良好性能，结合TO-220封装的优良散热特性，可在高负载持续工作的工业环境中长期运行。该器件还内置了快速体二极管，其反向恢复时间（trr）仅为60ns，有助于减少反向恢复过程中产生的尖峰电压和电磁干扰（EMI），提升系统安全性和稳定性。
　　值得一提的是，FEH28N50ES通过了严格的雪崩能量测试，具备一定的抗雪崩能力，能够在遭遇意外电压浪涌或感性负载突变时维持器件完整性，避免因瞬态过压而导致永久损坏。这一特性使其在电机控制、逆变器和UPS等对可靠性要求较高的场合中更具优势。综合来看，FEH28N50ES是一款兼顾高耐压、低损耗与高可靠性的中高端功率MOSFET，广泛受到电源工程师青睐。

FEH28N50ES主要应用于各类中高功率开关电源系统中，特别是在需要高效能和高可靠性的场景下表现突出。其典型应用包括离线式反激变换器（Flyback Converter）、正激变换器（Forward Converter）以及LLC谐振变换器等AC-DC电源拓扑结构，常见于电视、显示器、适配器和工业电源设备中。由于其500V的耐压等级和28A的额定电流能力，特别适合用于通用输入电压范围（85~265V AC）下的电源主开关管设计。
　　在DC-DC转换器中，FEH28N50ES可用于升压（Boost）、降压（Buck）或多相同步整流架构中作为主控开关元件，尤其在高输入电压场合下展现出优越的效率和热管理性能。此外，该器件也常用于光伏逆变器、UPS不间断电源和电动工具驱动电路中，承担核心功率切换任务。
　　在电机驱动领域，FEH28N50ES可用于中小功率直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，提供快速响应和低损耗的开关操作。其快速开关特性和低导通电阻有助于减少发热，延长电机使用寿命。同时，由于具备较强的抗冲击能力和稳定的高温性能，该MOSFET也适用于家电产品如洗衣机、空调压缩机驱动模块等恶劣工作环境。
　　此外，FEH28N50ES还可用于LED恒流驱动电源、焊接设备、充电站电源模块以及其他工业控制设备中的功率控制环节。凭借其成熟的封装形式和广泛的兼容性，便于进行PCB布局和散热设计，大大缩短产品开发周期。总体而言，该器件凭借其优异的电气性能和稳健的设计，已成为许多中高端电源设计方案中的首选功率开关器件之一。

FQP28N50C
　　STP28N50U
　　K28N50E
　　2SK3569
　　2SC4468