时间：2025/7/1 8:26:25
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FEE4E16050250R401JT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等领域。该芯片采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提高系统效率并降低能耗。
该器件属于增强型 N 沟道 MOSFET，其设计优化了动态性能与静态性能之间的平衡，适用于需要高效能和高可靠性的应用场景。
型号：FEE4E16050250R401JT
类型：N 沟道 MOSFET
封装形式：TO-247
最大漏源电压(Vds)：160V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大漏极电流(Id)：50A
导通电阻(Rds(on))：2.5mΩ
功耗(PD)：310W
工作温度范围(Ta)：-55℃ 至 +175℃
栅极电荷(Qg)：80nC4E16050250R401JT 的关键特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效减少传导损耗，提升整体系统效率。
2. 高速开关能力，使得该器件能够在高频应用中表现出色。
3. 具备强大的热稳定性，能够承受较高的结温，确保在恶劣环境下依然稳定运行。
4. 内置反向恢复二极管，有助于降低开关噪声并改善 EMI 性能。
5. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
6. 优秀的抗雪崩能力和短路耐受能力，提升了系统的可靠性。
这些特性使 FEE4E16050250R401JT 成为工业和汽车电子领域中的理想选择。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)，如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动，特别是大功率电机控制场景。
3. 太阳能逆变器和 UPS 系统。
4. 电动车充电装置和车载电子设备。
5. 工业自动化和机器人技术。
FEE4E16050250R401JT 的高效率和高可靠性使其非常适合需要处理高电流和高压的应用场合。
FEE4E16050250R401JU
FEE4E16050250R401JP
FEE4E16050250R401JL
