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FED4E16180150R500JT 发布时间 时间:2025/5/23 19:09:17 查看 阅读:15

FED4E16180150R500JT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点。该芯片广泛应用于各种电力电子设备中,例如电源适配器、逆变器、电机驱动等。其设计旨在提高效率并降低功耗,同时支持高频率操作以减少磁性元件的尺寸。

参数

类型:MOSFET
  封装:TO-247
  额定电压:1600V
  额定电流:150A
  导通电阻:500mΩ
  最大工作温度:175°C
  栅极电荷:35nC
  开关速度:高速

特性

FED4E16180150R500JT 的主要特性包括:
  1. 高额定电压 (1600V),适用于高压应用场合。
  2. 低导通电阻 (500mΩ),有助于减少传导损耗并提升系统效率。
  3. 高电流能力 (150A),可满足大功率应用需求。
  4. 快速开关速度和低栅极电荷,能够有效减少开关损耗。
  5. TO-247 封装提供良好的散热性能,适合高功率密度设计。
  6. 广泛的工作温度范围 (-55°C 至 +175°C),适应多种极端环境。

应用

该芯片适用于以下领域:
  1. 工业电源转换系统。
  2. 太阳能逆变器中的功率转换模块。
  3. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的电机驱动。
  4. 不间断电源 (UPS) 系统。
  5. 高压直流-直流转换器。
  6. 高效 SMPS(开关模式电源)设计。

替代型号

FED4E16180150R300JT
  FED4D1600150R500JT
  IRFP260N

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