FED4E16180070R500JT是一款高性能的功率MOSFET芯片,专为高效率开关应用设计。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关速度的特点,广泛应用于电源管理、电机驱动和逆变器等领域。
其封装形式通常为表面贴装类型,能够提供卓越的散热性能,并支持高电流密度的操作环境。
型号:FED4E16180070R500JT
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压(V_DS):1600V
最大连续漏极电流(I_D):70A
导通电阻(R_DS(on)):500mΩ
栅极电荷(Q_g):200nC
结温范围(T_j):-55℃ 至 +175℃
封装:TO-247
FED4E16180070R500JT具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻确保在高电流条件下保持较低的功耗。
2. 高额定电压使其适用于高压系统,例如工业设备中的逆变器或太阳能逆变器。
3. 快速开关能力减少开关损耗,从而提高整体效率。
4. 耐热增强型封装设计,优化了热管理和电气性能。
5. 符合RoHS标准,绿色环保。
这款功率MOSFET适用于多种应用场景,包括但不限于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)设计,例如AC-DC转换器和DC-DC变换器。
2. 工业控制中的电机驱动电路。
3. 新能源领域,如光伏逆变器和风能发电系统的功率转换模块。
4. 电动车和混合动力车的电池管理系统(BMS)以及电机控制器。
5. 大功率LED驱动器和其他需要高效功率转换的应用。
FED4E16180070R500JH, IRFP260N, STW92N120K5