FE2HX105M631LEL 是一款高性能的功率半导体器件,通常归类为 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该元器件适用于高效率电源转换、电机驱动和工业控制等应用。它采用先进的制造工艺,在开关速度、导通电阻以及耐压性能上具有显著优势。
型号:FE2HX105M631LEL
类型:MOSFET
封装:TO-247
最大漏源电压(Vds):650V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):100A
导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ
总功耗(Ptot):250W
工作温度范围:-55℃ to +175℃
FE2HX105M631LEL 具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻 Rds(on),有助于减少传导损耗,提高系统效率。
2. 高击穿电压 (Vds),确保其在高压环境中的可靠性。
3. 快速开关速度,支持高频应用,降低开关损耗。
4. 强大的过流能力和热性能,适合大功率应用场景。
5. 符合 RoHS 标准,环保设计。
6. 耐雪崩能力出色,增强了在异常条件下的稳定性。
7. 优异的热稳定性和耐用性,能够适应极端温度变化。
该芯片广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电动车辆(EV)和混合动力车辆(HEV)的电机控制器。
3. 工业自动化设备中的变频器和伺服驱动器。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统。
5. 不间断电源(UPS) 和电池管理系统(BMS)。
6. 照明镇流器和高亮度 LED 驱动电路。
IRFP260N
FDP18N65C
CSD1953KCS