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FDZ2554P 发布时间 时间:2025/6/17 8:34:05 查看 阅读:5

FDZ2554P是一种高压、高功率的NPN型双极性晶体管(BJT),主要用于开关和放大应用。该晶体管具有较高的集电极-发射极击穿电压,使其适用于高电压环境下的电路设计。此外,其良好的电流增益特性和低饱和电压也使其成为许多工业应用的理想选择。

参数

集电极-发射极击穿电压:600V
  连续集电极电流:4A
  功耗:120W
  直流电流增益(hFE):最小值25
  过渡频率:1.5MHz
  存储温度范围:-55℃至+150℃
  工作结温:-55℃至+150℃

特性

FDZ2554P的主要特性包括高电压耐受能力,能够承受高达600V的击穿电压,这使得它非常适合于需要高电压操作的场景。
  其次,该晶体管具备良好的热稳定性,能够在较宽的温度范围内可靠工作,从-55℃到+150℃。
  此外,FDZ2554P还具有较低的饱和电压和稳定的直流电流增益,从而确保了在高功率应用中的高效性能和可靠性。
  其封装形式通常为TO-247或TO-220,这种封装提供了良好的散热性能,适合大功率场合的应用。

应用

FDZ2554P广泛应用于各类高电压、大功率电子设备中,例如开关电源、电机驱动器、逆变器、不间断电源(UPS)系统以及各种工业控制设备。
  由于其出色的电气特性和热稳定性,该晶体管还常用于音频功率放大器、继电器驱动器以及其他需要高电流承载能力的场景。

替代型号

2SD1690, MJE13004

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FDZ2554P产品

FDZ2554P参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型2 个 P 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C28 毫欧 @ 6.5A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1900pF @ 10V
  • 功率 - 最大2.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳18-WFBGA
  • 供应商设备封装18-BGA
  • 包装带卷 (TR)