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FDWS9508L-F085 发布时间 时间:2025/7/22 11:19:07 查看 阅读:7

FDWS9508L-F085 是一款由 Fairchild(现为onsemi)推出的双N沟道功率MOSFET,采用先进的Trench工艺制造,专为高效率电源转换应用而设计。该器件封装于DFN5x6小型封装中,具有低导通电阻、高电流承载能力和优良的热性能。FDWS9508L-F085广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及服务器和通信设备的电源模块。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):30V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):10A
  导通电阻(Rds(on)):18mΩ(典型值)
  功耗(Pd):3.4W
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:DFN5x6

特性

FDWS9508L-F085采用了先进的PowerTrench技术,提供极低的导通电阻,从而减少了导通状态下的功率损耗,提高了系统效率。
  其双N沟道结构允许在同步整流器和H桥电路中使用,适用于双向电流控制。
  该MOSFET具有高雪崩能量耐受能力,增强了在瞬态条件下的可靠性。
  DFN5x6封装具有良好的热管理性能,使得在高电流负载下也能保持较低的温升。
  此外,该器件符合RoHS标准,适用于无铅焊接工艺,支持环保要求。
  FDWS9508L-F085还具有快速开关特性,有助于减少开关损耗,适用于高频开关电源应用。

应用

FDWS9508L-F085 主要用于需要高效能和高可靠性的电源管理领域。
  典型应用包括同步整流DC-DC转换器、电池充电电路、负载开关和电机控制电路。
  在服务器和网络设备中,该器件常用于电源模块,以实现高效的电源转换和分配。
  由于其优异的导通特性和热性能,FDWS9508L-F085也适用于高密度电源设计,如电信设备和工业自动化系统。
  此外,该MOSFET还可用于电池供电设备中的电源管理,帮助延长电池寿命并提高整体系统效率。

替代型号

FDWS9508L-F085的替代型号包括FDW9508N,FDW9508N具有相似的电气特性和封装形式,可作为直接替代选择。

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FDWS9508L-F085参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列Automotive, AEC-Q101, PowerTrench?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态停产
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)80A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)4.9 毫欧 @ 80A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)107 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±16V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)4840 pF @ 20 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)214W(Tj)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-PQFN(5x6)
  • 封装/外壳8-PowerTDFN