FDWS9508L-F085 是一款由 Fairchild(现为onsemi)推出的双N沟道功率MOSFET,采用先进的Trench工艺制造,专为高效率电源转换应用而设计。该器件封装于DFN5x6小型封装中,具有低导通电阻、高电流承载能力和优良的热性能。FDWS9508L-F085广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及服务器和通信设备的电源模块。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):30V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):10A
导通电阻(Rds(on)):18mΩ(典型值)
功耗(Pd):3.4W
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:DFN5x6
FDWS9508L-F085采用了先进的PowerTrench技术,提供极低的导通电阻,从而减少了导通状态下的功率损耗,提高了系统效率。
其双N沟道结构允许在同步整流器和H桥电路中使用,适用于双向电流控制。
该MOSFET具有高雪崩能量耐受能力,增强了在瞬态条件下的可靠性。
DFN5x6封装具有良好的热管理性能,使得在高电流负载下也能保持较低的温升。
此外,该器件符合RoHS标准,适用于无铅焊接工艺,支持环保要求。
FDWS9508L-F085还具有快速开关特性,有助于减少开关损耗,适用于高频开关电源应用。
FDWS9508L-F085 主要用于需要高效能和高可靠性的电源管理领域。
典型应用包括同步整流DC-DC转换器、电池充电电路、负载开关和电机控制电路。
在服务器和网络设备中,该器件常用于电源模块,以实现高效的电源转换和分配。
由于其优异的导通特性和热性能,FDWS9508L-F085也适用于高密度电源设计,如电信设备和工业自动化系统。
此外,该MOSFET还可用于电池供电设备中的电源管理,帮助延长电池寿命并提高整体系统效率。
FDWS9508L-F085的替代型号包括FDW9508N,FDW9508N具有相似的电气特性和封装形式,可作为直接替代选择。