时间：2025/7/22 11:19:07
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FDWS9508L-F085 是一款由 Fairchild（现为onsemi）推出的双N沟道功率MOSFET，采用先进的Trench工艺制造，专为高效率电源转换应用而设计。该器件封装于DFN5x6小型封装中，具有低导通电阻、高电流承载能力和优良的热性能。FDWS9508L-F085广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及服务器和通信设备的电源模块。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：10A
导通电阻(Rds(on))：18mΩ（典型值）
功耗(Pd)：3.4W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：DFN5x6
FDWS9508L-F085采用了先进的PowerTrench技术，提供极低的导通电阻，从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。
其双N沟道结构允许在同步整流器和H桥电路中使用，适用于双向电流控制。
该MOSFET具有高雪崩能量耐受能力，增强了在瞬态条件下的可靠性。
DFN5x6封装具有良好的热管理性能，使得在高电流负载下也能保持较低的温升。
此外，该器件符合RoHS标准，适用于无铅焊接工艺，支持环保要求。
FDWS9508L-F085还具有快速开关特性，有助于减少开关损耗，适用于高频开关电源应用。
FDWS9508L-F085 主要用于需要高效能和高可靠性的电源管理领域。
典型应用包括同步整流DC-DC转换器、电池充电电路、负载开关和电机控制电路。
在服务器和网络设备中，该器件常用于电源模块，以实现高效的电源转换和分配。
由于其优异的导通特性和热性能，FDWS9508L-F085也适用于高密度电源设计，如电信设备和工业自动化系统。
此外，该MOSFET还可用于电池供电设备中的电源管理，帮助延长电池寿命并提高整体系统效率。
FDWS9508L-F085的替代型号包括FDW9508N，FDW9508N具有相似的电气特性和封装形式，可作为直接替代选择。
