FDW6993 时间：2025/8/25 1:20:36 阅读：9

FDW6993 是一款由 Fairchild（飞兆半导体，现为安森美半导体的一部分）推出的双N沟道功率MOSFET器件。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动和电池供电系统等领域。FDW6993采用先进的PowerTrench?技术，具有极低的导通电阻（RDS(on)），能够在高电流负载下保持较低的导通损耗，从而提高系统效率。该MOSFET封装形式通常为8引脚SOIC或TDFN，适用于高密度PCB布局。

参数

类型：双N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：4.9A（单通道）
　　导通电阻(RDS(on))：22mΩ @ VGS = 10V
　　导通电阻(RDS(on))：30mΩ @ VGS = 4.5V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：8-SOIC / TDFN

特性

FDW6993 的核心优势在于其低导通电阻和高集成度，使得其在电源管理应用中表现出色。该器件采用先进的PowerTrench?技术，能够显著降低导通状态下的功率损耗，从而提高整体能效。此外，其双N沟道结构允许在同步整流、H桥电机驱动或双向负载开关等应用中实现高效的控制。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持4.5V至10V的栅极驱动电压，使其兼容多种控制器和驱动IC。在高温环境下，FDW6993仍能保持稳定的性能，最大工作温度可达150°C，适用于工业级和车载电子系统。
　　由于其采用小型化封装，如TDFN，FDW6993非常适合高密度PCB设计，同时具备良好的热性能，确保在高负载条件下仍能保持较低的温升。