时间：2025/8/24 20:34:00
阅读：8
FDW6467_NL是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的双N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、负载开关和DC-DC转换器等领域。该器件采用先进的Trench沟槽技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高效率的特点，适用于需要高电流和低电压操作的应用场景。其封装形式为8引脚SOIC，具有良好的热性能和电气性能，适用于工业级温度范围。
类型：双N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：30V
最大漏极电流（ID）：6A
导通电阻（RDS(on)）：24mΩ @ VGS=10V
栅极电压（VGS）范围：-12V至+20V
最大功耗（PD）：2.5W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：8-SOIC
FDW6467_NL采用先进的Trench沟槽技术，使得其在低电压应用中表现出色。其双N沟道结构允许在同一封装中实现两个独立的MOSFET，适用于同步整流和H桥电路等应用。低导通电阻减少了导通损耗，提高了系统效率。此外，该器件具有高雪崩能量耐受能力，能够在瞬态条件下提供更高的可靠性。其8-SOIC封装形式提供了良好的散热性能，适用于高密度PCB设计。
该MOSFET的栅极驱动电压范围宽广，支持从-12V至+20V之间的操作，使其兼容多种控制电路。器件的开关特性优化，能够实现快速开关，减少开关损耗。同时，其具有良好的热稳定性，在高负载条件下也能保持稳定的性能。FDW6467_NL还具备高抗干扰能力，适合在电磁环境复杂的系统中使用。
FDW6467_NL广泛应用于电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关、电机控制、电池管理系统以及便携式电子设备。其双MOSFET结构特别适用于同步整流拓扑，如Buck和Boost转换器中的上下桥臂开关。此外，该器件也可用于工业自动化设备和通信电源模块，提供高效可靠的功率控制解决方案。
FDW6467_NL的替代型号包括FDW6467S，FDW6467S_NL，Si7461DP-T1-GE3，以及FDW6468_NL。
