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FDW256P 发布时间 时间:2025/5/19 8:51:06 查看 阅读:11

FDW256P是一款N沟道增强型功率MOSFET,主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等领域。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和优异的开关性能,能够有效降低功耗并提高系统效率。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  持续漏极电流:14A
  导通电阻(典型值):3.6mΩ
  栅极电荷:18nC
  开关速度:快速开关
  封装形式:TO-220

特性

FDW256P具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗,提升整体效率。
  2. 快速开关性能,适合高频应用环境。
  3. 高电流处理能力,可满足大功率应用需求。
  4. 优秀的热稳定性,确保在高温条件下仍能保持稳定运行。
  5. 符合RoHS标准,绿色环保。
  6. 具备出色的雪崩击穿能力和抗静电能力,提高了器件的可靠性和耐用性。

应用

FDW256P广泛应用于各种电子设备中,包括但不限于:
  1. 开关电源适配器。
  2. 工业电机驱动电路。
  3. DC-DC转换器模块。
  4. 汽车电子中的负载开关。
  5. 通信设备中的功率管理单元。
  6. 各类电池管理系统(BMS)。

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FDW256P参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C13.5 毫欧 @ 8A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs38nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2267pF @ 15V
  • 功率 - 最大600mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
  • 供应商设备封装8-TSSOP
  • 包装带卷 (TR)