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FDW2515NZ 发布时间 时间:2025/7/1 9:31:22 查看 阅读:11

FDW2515NZ 是一款由 Fairchild(现为 ON Semiconductor)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 DPAK 封装,广泛应用于高效率开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等场景中。其低导通电阻特性有助于降低功耗并提高系统效率。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:48A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:39nC
  开关速度:快速
  封装类型:DPAK (TO-252)

特性

FDW2515NZ 的主要特点是其超低的导通电阻(Rds(on)),仅为 1.5mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)。这使得它非常适合需要高效能和低损耗的应用场景。
  此外,该器件具有较低的栅极电荷(Qg),从而能够实现更快的开关速度,并减少开关损耗。
  它的热性能也经过优化,确保在高电流条件下具备良好的散热能力。同时,其坚固耐用的设计使其能够在严苛的工作环境下保持稳定运行。

应用

FDW2515NZ 可用于多种电力电子应用领域,例如:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流
  2. DC-DC 转换器中的主开关或同步整流
  3. 电机驱动电路中的功率级
  4. 工业自动化设备中的负载开关
  5. 大电流保护电路

替代型号

FDP018N06L, IRFZ44N, AO3400A

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FDW2515NZ参数

  • 制造商Fairchild Semiconductor
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压20 V
  • 闸/源击穿电压+/- 12 V
  • 漏极连续电流5.8 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)22 m Ohms
  • 配置Dual Common Dual Drain Dual Source
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体TSSOP-8
  • 封装Reel
  • 下降时间6 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散1.6 W
  • 上升时间6 ns
  • 工厂包装数量2500
  • 典型关闭延迟时间15 ns