时间：2025/5/20 8:51:49
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FDW2508P是一款高性能的N沟道增强型MOSFET晶体管，主要用于功率管理、电源转换和电机驱动等应用领域。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够有效降低功耗并提高系统效率。其封装形式为SOT-23，体积小巧，适合在空间受限的设计中使用。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：1.1A
导通电阻（Rds(on)）：260mΩ（典型值，Vgs=4.5V时）
栅极电荷：1.7nC（典型值）
开关时间：开启时间5ns，关断时间9ns
工作温度范围：-55℃至+150℃
FDW2508P的主要特性包括低导通电阻，可显著减少导通损耗；高开关速度，适合高频开关应用；优异的热稳定性和可靠性；内置静电保护功能，增强了器件的鲁棒性；小型化的SOT-23封装，节省PCB空间。
此外，该器件还具备较低的输入电容和输出电容设计。
FDW2508P广泛应用于各种电子设备中，包括DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统、LED驱动器以及便携式电子产品的电源管理模块。
它也常用于电机驱动电路中作为功率开关，支持高效的小信号控制和功率传输。由于其出色的性能和紧凑的封装，特别适用于对空间和能效要求较高的消费类电子产品和工业控制系统。
AO3400A
IRLML6401
FDP18N05L
