时间：2025/8/24 11:41:25
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FDV335N是一款由ON Semiconductor生产的高性能、低电压、P沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效能与小尺寸封装的电源管理电路中。该器件采用先进的Trench沟槽技术，提供较低的导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗并提高了能效。FDV335N具有高功率密度、低栅极电荷和快速开关特性，非常适合用于负载开关、DC-DC转换器、同步整流器和电池供电设备等应用场景。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：-20V
栅源电压(VGS)：±8V
连续漏极电流(ID)：-4.1A
导通电阻(RDS(on))：85mΩ @ VGS = -4.5V，120mΩ @ VGS = -2.5V
栅极电荷(Qg)：6.7nC @ VGS = -4.5V
封装类型：SOT-223
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
FDV335N MOSFET采用了先进的沟槽技术，提供了非常低的导通电阻，从而降低了导通损耗并提高了系统效率。其85mΩ的RDS(on)在VGS为-4.5V时表现优异，即使在较低的栅极驱动电压下也能保持良好的性能。此外，该器件具有较小的栅极电荷（Qg为6.7nC），使得开关损耗显著降低，从而提高了整体的动态性能。
FDV335N采用SOT-223表面贴装封装，具备良好的热性能和空间利用率，非常适合对尺寸和散热要求较高的应用场合。该器件的工作温度范围为-55°C至150°C，表现出良好的温度稳定性和可靠性，适用于各种工业级和消费类电子设备。
此外，FDV335N具有低阈值电压（VGS(th)通常为-0.5V至-1.0V），允许使用较低的控制电压来实现导通，进一步提高了能效并简化了驱动电路设计。其高耐压能力和快速开关特性，使其在高频开关应用中表现出色，有助于减小外部元件的尺寸并提高系统响应速度。
FDV335N广泛应用于各种电源管理领域，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机控制器和电池供电设备等。其低导通电阻和快速开关特性使其在高频开关电路中表现优异，适用于需要高效率和紧凑设计的便携式电子设备，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和可穿戴设备等。此外，FDV335N也适用于工业控制、通信设备和汽车电子系统中的电源管理模块。
FDV335N的替代型号包括Si4435BDY、FDC6330L、AO4416A等。这些型号在性能和封装方面具有相似特性，可根据具体应用需求进行选择。
