FDV305N-NL 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种功率转换和电源管理应用。其封装形式为 SOT-23 小型表面贴装封装,适合需要紧凑设计的电子产品。
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大漏极电流(Id):1.4A
导通电阻(Rds(on)):0.75Ω(典型值,在 Vgs=10V 时)
栅极电荷(Qg):3nC(典型值)
总功耗(Ptot):410mW
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
FDV305N-NL 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻,能够有效减少功率损耗。
2. 高速开关性能,支持高频应用。
3. 静态和动态参数经过优化,确保稳定的工作表现。
4. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
5. 良好的热稳定性,即使在极端温度条件下也能保持性能。
该 MOSFET 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS) 中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器中的功率开关。
3. 电池保护电路。
4. 便携式电子设备的负载开关。
5. 电机驱动及信号切换。
由于其小型封装和优异性能,非常适合消费类电子、工业控制和通信设备中的各种功率管理需求。
FDV304N, BSS138, SI2302DS