FDV305N-NL 时间：2025/5/26 21:21:40 阅读：18

FDV305N-NL 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种功率转换和电源管理应用。其封装形式为 SOT-23 小型表面贴装封装，适合需要紧凑设计的电子产品。

参数

最大漏源电压(Vds)：60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大漏极电流(Id)：1.4A
　　导通电阻(Rds(on))：0.75Ω（典型值，在 Vgs=10V 时）
　　栅极电荷(Qg)：3nC（典型值）
　　总功耗(Ptot)：410mW
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃

特性

FDV305N-NL 具有以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻，能够有效减少功率损耗。
　　2. 高速开关性能，支持高频应用。
　　3. 静态和动态参数经过优化，确保稳定的工作表现。
　　4. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
　　5. 良好的热稳定性，即使在极端温度条件下也能保持性能。

应用

该 MOSFET 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源(SMPS) 中的同步整流器。
　　2. DC-DC 转换器中的功率开关。
　　3. 电池保护电路。
　　4. 便携式电子设备的负载开关。
　　5. 电机驱动及信号切换。
　　由于其小型封装和优异性能，非常适合消费类电子、工业控制和通信设备中的各种功率管理需求。